可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上**晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
可控硅（晶閘管）的術(shù)語
術(shù)語
IT(AV)--通態(tài)平均電流
VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流
ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流
VTM--通態(tài)峰值電壓
IGT--門極觸發(fā)電流
VGT--門極觸發(fā)電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
Rthjc--結(jié)殼熱阻
ⅥSO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結(jié)溫
VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓
IRRM--反向重復(fù)峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
PGM--門極峰值功率
PG----門極平均功率
可控硅（晶閘管）的參數(shù)與用途
主要參數(shù)
電流
⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即*大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM)，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4 在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值
封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、TO-263、SOT-23、SOT23-3L、SOT-223、TO-247等。
用途
普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以*簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形(c)及(d)，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐撦d上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。
1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流:IA小于2A。
2:大;M功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。
3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。
可控硅（晶閘管）的電流電壓變化
1、柵極上的噪聲電平
在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。
2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。
為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率
當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況*易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。
4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。
5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的*大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上。
單向晶閘管的特點和工作原理
單向晶閘管很像一只二極管，但比二極管多了一個控制極G，它的導(dǎo)通可以控制。
實驗?晶閘管導(dǎo)電實驗
（1）步驟：
1）按圖所示，在電路板上接好電路圖。
2）合上S1，斷開S2，此時，燈亮/不亮。（不亮）
3）將S1合上，S2也合上，此時，燈亮/不亮。（亮）
4）將S2斷開，燈熄滅/不熄滅。（不熄滅）
5）斷開S1，此時，燈熄滅。
6）將晶閘管反接，無論S1、S2斷開還是閉合，燈總是不亮/亮。（不亮）
（2）實驗結(jié)論：
1）導(dǎo)通條件：
① 晶閘管A、K之間正向偏壓。
② 晶閘管G、K之間也必須正向偏壓。
2）晶閘管導(dǎo)通后，降低或去掉控制極電壓時，晶閘管仍然導(dǎo)通（UGK失效）。
3）導(dǎo)通后的晶閘管要關(guān)斷時，必須減小其陽極電流，使其小于晶閘管的某一個電流值。
（3）工作原理
1）晶閘管具有弱電觸發(fā)信號控制強電（IAK）的作用。
2）單向晶閘管的特點是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定，從等效電路中可知，
① 可視為由NPN晶體管和PNP晶體管組成。
② A和K之間加正向電壓，V1、V2不導(dǎo)通，晶閘管關(guān)斷。
晶閘管導(dǎo)通時，總壓降約為1 V左右。
單向晶閘管主要參數(shù)
（1）額定正向平均電流
定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。
（2）維持電流
定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保證晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的*小正向電流，一般為幾毫安至幾十毫安。
（3）控制極觸發(fā)電壓和電流
定義：在環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下，使晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通，控制極所需的*小正向電壓和電流。一般情況下，小功率晶閘管觸發(fā)電壓約為1 V左右，觸發(fā)電流零點幾毫安至幾毫安，M功率以上晶閘管觸發(fā)電壓約為幾伏至幾十伏，電流為幾毫安至幾百毫安。
（4）正向轉(zhuǎn)折電壓
控制極關(guān)斷，使晶閘管擊穿的陽極和陰極所加的電壓。
（5）反向阻值峰值電壓
這是**工作的*大電壓，一般晶閘管的額定電壓就是指峰值電壓。
來源：網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)科普、電器百科、電氣百科等綜合整理
